SiFotonics攜單波200G收/發(fā)硅光芯片參展CIOE 2025

  ICC訊  SiFotonics Technologies（希烽光電）將攜最新開發(fā)的應(yīng)用于AI 1.6T的單波200G 鍺硅探測(cè)器及單波200G硅光集成發(fā)射芯片等硅光產(chǎn)品參展第26屆中國國際光電博覽會(huì)，展臺(tái)12B65。

  SiFotonics的硅光產(chǎn)品憑借硅基CMOS平臺(tái)的工藝一致性、極低失效率、供應(yīng)穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)，在5G、數(shù)據(jù)中心及AI集群建設(shè)中已經(jīng)獲得了大規(guī)模商用，累計(jì)出貨超過一億通道。

  面向AI集群1.6T應(yīng)用的單波200G Ge/Si PD采用背照式、單體集成硅透鏡設(shè)計(jì)，借助硅基CMOS平臺(tái)的高精度工藝控制能力，200G Ge/Si PD實(shí)現(xiàn)了更高的響應(yīng)度(>0.75A/W)、更大的等效耦合孔徑(>40um)、更高的背面/正面對(duì)準(zhǔn)精度(<±3um)、靈活匹配2.5D/3D封裝，且可獨(dú)家提供成本合理的4x200G 750um pitch array，陣列式設(shè)計(jì)保證了精確的通道間距，避免了單通道倒裝貼片帶來的累計(jì)通道間距變異?；谝陨巷@著優(yōu)勢(shì)，SiFotonics的200G Ge/Si PD目前獲得了行業(yè)頭部客戶認(rèn)可，正在快速進(jìn)行批量部署。

  SiFotonics在其完全自主、可控的IDM-Lite專屬硅光工藝平臺(tái)上，自2025年以來完成了氮化硅工藝整合并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)級(jí)別器件開發(fā)，在成熟相干集成芯片基礎(chǔ)上推出低成本、高可靠性、性能優(yōu)異的單波100G/200G IMDD（強(qiáng)度調(diào)制、直接探測(cè)）硅光集成芯片，吸引了眾多優(yōu)質(zhì)客戶的興趣，目前正在大量送樣和快速迭代中，預(yù)計(jì)2025年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。

  為應(yīng)對(duì)AI集群市場(chǎng)的海量需求，SiFotonics目前正在大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，為AI市場(chǎng)客戶預(yù)留充足產(chǎn)能，不設(shè)上限，并基于成熟可靠的專屬硅光產(chǎn)線和多年積累的硅光芯片量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，保障客戶的快速起量和穩(wěn)定供應(yīng)。

  面對(duì)AI大潮，SiFotonics從技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)上已做好充分準(zhǔn)備，將為AI市場(chǎng)提供從收端到發(fā)端、從長距到短距、從當(dāng)下到未來完整的硅光產(chǎn)品組合和解決方案，做到技術(shù)可信賴、品質(zhì)可信賴、交付可信賴，成為AI時(shí)代可信賴的硅光芯片專家。

  歡迎蒞臨SiFotonics展臺(tái)（12B65），共同探討AI光互連和硅光技術(shù)。