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SiFotonics攜單波200G收/發(fā)硅光芯片參展CIOE 2025

摘要:SiFotonics Technologies(希烽光電)將攜最新開發(fā)的應用于AI 1.6T的單波200G 鍺硅探測器及單波200G硅光集成發(fā)射芯片等硅光產品參展CIOE 2025,展臺12B65,歡迎蒞臨。

  ICC訊  SiFotonics Technologies(希烽光電)將攜最新開發(fā)的應用于AI 1.6T的單波200G 鍺硅探測器及單波200G硅光集成發(fā)射芯片等硅光產品參展第26屆中國國際光電博覽會,展臺12B65。

  SiFotonics的硅光產品憑借硅基CMOS平臺的工藝一致性、極低失效率、供應穩(wěn)定性等優(yōu)勢,在5G、數(shù)據(jù)中心及AI集群建設中已經獲得了大規(guī)模商用,累計出貨超過一億通道。

  面向AI集群1.6T應用的單波200G Ge/Si PD采用背照式、單體集成硅透鏡設計,借助硅基CMOS平臺的高精度工藝控制能力,200G Ge/Si PD實現(xiàn)了更高的響應度(>0.75A/W)、更大的等效耦合孔徑(>40um)、更高的背面/正面對準精度(<±3um)、靈活匹配2.5D/3D封裝,且可獨家提供成本合理的4x200G 750um pitch array,陣列式設計保證了精確的通道間距,避免了單通道倒裝貼片帶來的累計通道間距變異?;谝陨巷@著優(yōu)勢,SiFotonics的200G Ge/Si PD目前獲得了行業(yè)頭部客戶認可,正在快速進行批量部署。

  SiFotonics在其完全自主、可控的IDM-Lite專屬硅光工藝平臺上,自2025年以來完成了氮化硅工藝整合并實現(xiàn)量產級別器件開發(fā),在成熟相干集成芯片基礎上推出低成本、高可靠性、性能優(yōu)異的單波100G/200G IMDD(強度調制、直接探測)硅光集成芯片,吸引了眾多優(yōu)質客戶的興趣,目前正在大量送樣和快速迭代中,預計2025年下半年進入量產。

  為應對AI集群市場的海量需求,SiFotonics目前正在大規(guī)模擴產,為AI市場客戶預留充足產能,不設上限,并基于成熟可靠的專屬硅光產線和多年積累的硅光芯片量產經驗,保障客戶的快速起量和穩(wěn)定供應。

  面對AI大潮,SiFotonics從技術和經驗上已做好充分準備,將為AI市場提供從收端到發(fā)端、從長距到短距、從當下到未來完整的硅光產品組合和解決方案,做到技術可信賴、品質可信賴、交付可信賴,成為AI時代可信賴的硅光芯片專家。

  歡迎蒞臨SiFotonics展臺(12B65),共同探討AI光互連和硅光技術。

內容來自:訊石光通訊網(wǎng)
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文章標題:SiFotonics攜單波200G收/發(fā)硅光芯片參展CIOE 2025
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