Tower財(cái)報(bào)會(huì)議：硅光量產(chǎn)提速5倍 1.6T接收端革命

  ICC訊  2025年8月6日，Tower Semiconductor召開第二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議。首席執(zhí)行官Russell Ellwanger在會(huì)議中披露：“2025上半年，我們從試產(chǎn)轉(zhuǎn)入量產(chǎn)階段的硅光產(chǎn)品數(shù)量是去年同期的5倍，已超2024年全年總量。這印證了平臺(tái)成熟度、客戶采納率及運(yùn)營擴(kuò)展效率的提升?！?

  1. 技術(shù)進(jìn)展與產(chǎn)品

  現(xiàn)有產(chǎn)品：正在量產(chǎn)400Gbps、800Gbps產(chǎn)品，并大力提升1.6Tbps產(chǎn)品的晶圓投片量。

  新技術(shù)突破：

  - 開發(fā)出300mm硅光子學(xué)新技術(shù)，可為光收發(fā)模塊的接收功能提供成本和性能優(yōu)勢。

  - 利用成熟硅光子學(xué)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)200G每通道、1.6Tbps產(chǎn)品的高良率。

  下一代技術(shù)（3.2Tbps）：

  - 需根本性改進(jìn)（新器件、工藝、材料）。

  - 與一級客戶合作推進(jìn)，首個(gè)平臺(tái)預(yù)計(jì)2026年中量產(chǎn)。

  2. 產(chǎn)能與量產(chǎn)進(jìn)展

  量產(chǎn)轉(zhuǎn)換加速：2025年上半年，硅光子學(xué)產(chǎn)品從試產(chǎn)轉(zhuǎn)入量產(chǎn)的數(shù)量同比增長5倍，已超2024年全年總量。

  新增產(chǎn)能規(guī)劃：

  - 接收端新技術(shù)計(jì)劃2025年Q4開始初步量產(chǎn)。

  - 到2026年底，硅光子學(xué)產(chǎn)能預(yù)計(jì)比當(dāng)前水平翻倍。

  3. 市場驅(qū)動(dòng)與競爭優(yōu)勢

  取代傳統(tǒng)方案：1.6Tbps產(chǎn)品推動(dòng)硅光子學(xué)替代傳統(tǒng)EML解決方案，憑借顯著的成本與性能優(yōu)勢提升市場滲透率。

  市場擴(kuò)展：

  - 當(dāng)前產(chǎn)品主要服務(wù)光收發(fā)模塊的發(fā)射功能。

  - 接收端新技術(shù)預(yù)計(jì)將服務(wù)市場擴(kuò)大約20%。

  客戶需求：1.6Tbps原型產(chǎn)品增速快于400G/800G（年初至今數(shù)量高出40%），服務(wù)多個(gè)大型客戶。

  4. 收入與增長預(yù)期

  2025年目標(biāo)：硅光子學(xué)收入預(yù)計(jì)較2024年（1.05億美元）翻倍，下半年增速可能超預(yù)期。

  長期產(chǎn)能規(guī)劃：到2026年下半年，硅光子學(xué)產(chǎn)能將達(dá)2025年Q4目標(biāo)水平的2.2倍。

  5. 制造布局靈活性

  全球工廠（日本、美國、以色列、意大利）支持交叉認(rèn)證與產(chǎn)能調(diào)配，滿足地緣政治及客戶地域需求。

  日本富山5號(hào)晶圓廠開放承接功率器件等新增訂單。

  補(bǔ)充說明

  與硅鍺（SiGe）的協(xié)同：硅光子學(xué)與硅鍺同屬射頻基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)，2025年Q2射頻基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)占公司總收入25%（超9000萬美元），預(yù)計(jì)未來顯著增長。

  技術(shù)路線確定性：CEO重申，可插拔光模塊仍為主流，共封裝光學(xué)（CPO）商用預(yù)計(jì)不早于2029年，現(xiàn)有硅光技術(shù)路線不受影響。

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