ICC訊 2025年9月10日,CIOE 中國光博會于深圳正式開幕,高端光通信芯片代表廠商上海米硅科技有限公司(簡稱“米硅科技”或“公司”)攜一系列面向高速光通信領(lǐng)域的先進產(chǎn)品和解決方案亮相展會(展位號12D53)。展會期間,米硅科技總經(jīng)理羅剛先生應(yīng)邀接受訊石光通訊網(wǎng)采訪,分享了米硅科技的最新技術(shù)進展與戰(zhàn)略布局。
高速互聯(lián)與光接入芯片研發(fā)取得關(guān)鍵進展
羅總在采訪中表示,米硅科技正在全力推進高速CDR技術(shù)和50G PON光接入芯片的研發(fā)。在高速SerDes領(lǐng)域,公司研發(fā)的四通道及兩通道收發(fā)合一CDR芯片支持單波112G傳輸速率,主要應(yīng)用于AOC和AEC等場景,預(yù)計2025年底向客戶提供樣品。在光接入網(wǎng)領(lǐng)域,公司重點開發(fā)非對稱50G PON架構(gòu)芯片,涵蓋OLT側(cè)50G NRZ發(fā)射和25G突發(fā)模式CDR接收功能,同時布局對稱25G PON芯片研發(fā),預(yù)計2026年第二季度送樣。
榮獲“光電技術(shù)創(chuàng)新獎” 米硅112G PAM4 CDR芯片備受矚目
在展會首日,米硅科技重點展示的4×112 Gbps PAM4 CDR TxRx全系列芯片,憑借其卓越的性能指標與顯著的創(chuàng)新價值,榮獲大會組委會頒發(fā)的“光電技術(shù)創(chuàng)新獎”。該系列芯片憑借優(yōu)異的信號完整性、多通道協(xié)同性能及先進的功耗控制,展現(xiàn)出企業(yè)在高速光互聯(lián)核心芯片設(shè)計領(lǐng)域的扎實技術(shù)積累與創(chuàng)新突破。
此次獲獎,反映出行業(yè)對國產(chǎn)高端光通信芯片研發(fā)進展的積極認可。米硅科技表示,這一成績離不開客戶與合作伙伴長期的支持與信任,公司將秉持“技術(shù)驅(qū)動、創(chuàng)新為本”的理念,繼續(xù)聚焦于高速互連領(lǐng)域,堅持技術(shù)自研與協(xié)同創(chuàng)新,為產(chǎn)行業(yè)提供更多高性能、高可靠性的芯片解決方案。
突破性6G前傳技術(shù) 全球首推CDR模擬方案
在6G前傳這一前沿賽道,米硅科技正致力于將模擬CDR技術(shù)拓展至該領(lǐng)域。與業(yè)界普遍采用DSP方案不同,米硅希望通過純模擬電路實現(xiàn)112G收發(fā)通道,打造全球首款基于模擬CDR架構(gòu)的6G前傳芯片。
然而,在追求更高性能的道路上仍存在顯著挑戰(zhàn)。隨著AI算力網(wǎng)絡(luò)對數(shù)據(jù)傳輸速率的要求不斷向單波200G甚至400G邁進,DSP方案憑借其先天的制程工藝(從7nm、5nm到3nm)展現(xiàn)出顯著的性能擴展優(yōu)勢。模擬電路雖然同樣受益于工藝進步,但其性能突破更依賴于電路設(shè)計和結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
盡管面臨挑戰(zhàn),模擬方案依舊具有DSP難以比擬的獨特優(yōu)勢:功耗顯著降低、實現(xiàn)零傳輸延遲、無需外部時鐘以及更低的整體成本。米硅科技相信,隨著模擬CDR技術(shù)在高速連接性能上的持續(xù)突破,未來必將能夠提供超越DSP方案的高性價比解決方案,為AI算力網(wǎng)絡(luò)和6G前傳等場景帶來更優(yōu)選擇。
成熟工藝與嚴謹設(shè)計協(xié)同發(fā)力 打造全系列國產(chǎn)解決方案
為滿足AI算力場景對高速光連接的苛刻要求,米硅科技在工藝選擇和設(shè)計流程兩大方面共同發(fā)力,全面提升產(chǎn)品可靠性。在制造層面,公司采用成熟穩(wěn)定的BiCMOS工藝,確保芯片具備良好的寬溫工作適應(yīng)性和工藝一致性。在設(shè)計階段,米硅貫徹嚴格的設(shè)計規(guī)范和可靠性驗證機制,從前端徹底排查潛在不穩(wěn)定因素,從而保障芯片在實際應(yīng)用中的高性能與長期穩(wěn)定運行。
羅總表示,后續(xù)米硅將繼續(xù)加大研發(fā)力度,致力于打造全系列國產(chǎn)光通信芯片解決方案。公司將持續(xù)深耕高速互聯(lián)、光接入和6G前傳等領(lǐng)域,助力國內(nèi)5G-A、AI算力及未來6G網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)與發(fā)展,為打破國外技術(shù)壟斷、提供更高性價比的國產(chǎn)化芯片選擇做出積極貢獻。