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助力 AI 時(shí)代,高速通信 14-100G VCSEL和 PD 芯片新品發(fā)布

摘要:度亙核芯依托全流程自主可控的FAB工藝平臺(tái),成功實(shí)現(xiàn)了多款面向高速光通信、車(chē)載數(shù)據(jù)傳輸與數(shù)據(jù)中心等多領(lǐng)域應(yīng)用的850nm 和980nm 的VCSEL芯片與PD芯片。

  ICC訊  當(dāng)今數(shù)字世界正經(jīng)歷數(shù)據(jù)流量的爆炸式增長(zhǎng),云計(jì)算、人工智能、5G及元宇宙等新興技術(shù)驅(qū)動(dòng)全球數(shù)據(jù)中心持續(xù)擴(kuò)容與升級(jí),高速數(shù)據(jù)光通信已成為信息基礎(chǔ)設(shè)施的核心支柱,短距多模光互聯(lián)市場(chǎng)(如數(shù)據(jù)中心機(jī)架內(nèi)、服務(wù)器間連接)對(duì)高速、低成本、低功耗的光通信解決方案需求尤為迫切。度亙核芯依托全流程自主可控的FAB工藝平臺(tái),成功實(shí)現(xiàn)了多款面向高速光通信、車(chē)載數(shù)據(jù)傳輸與數(shù)據(jù)中心等多領(lǐng)域應(yīng)用的850nm 和980nm 的VCSEL芯片與PD芯片。

  數(shù)通VCSEL具有高調(diào)制帶寬、低相對(duì)強(qiáng)度噪聲(RIN)及通過(guò)嚴(yán)格的可靠性驗(yàn)證的核心優(yōu)勢(shì);PD則以高響應(yīng)度、寬工作帶寬,支撐高速光通信與光傳感的接收環(huán)節(jié)。通過(guò)“光源+探測(cè)器”組合形成鏈路閉環(huán),為下一代光通信網(wǎng)絡(luò)、智能車(chē)載系統(tǒng)提供高性能、高可靠的“芯”支撐。

  應(yīng)用背景

  隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等前沿技術(shù)的迅猛發(fā)展,數(shù)據(jù)的產(chǎn)生和傳輸量呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。AI領(lǐng)域的深度學(xué)習(xí)模型訓(xùn)練,需要處理海量數(shù)據(jù),對(duì)數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣群头€(wěn)定性要求極高。

  在高速數(shù)據(jù)光通信系統(tǒng)里,光通信芯片如VCSEL和PD處于核心地位。VCSEL負(fù)責(zé)將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)進(jìn)行發(fā)射,而PD則承擔(dān)著把接收到的光信號(hào)精準(zhǔn)轉(zhuǎn)換回電信號(hào)的重任。

  性能指標(biāo)

  度亙核芯推出的850nm 和980nm高速光通信VCSEL和PD芯片系列產(chǎn)品,可滿足不同場(chǎng)景應(yīng)用需求:

度亙核芯高速數(shù)據(jù)通信芯片產(chǎn)品列表

  數(shù)通100G PAM4 VCSEL

  ?優(yōu)異光電特性:閾值電流約 1mA、工作電壓 2.5V,輸出功率6mW功率,有效減少信號(hào)波動(dòng),保障業(yè)務(wù)響應(yīng)速度;

  ?高帶寬:在常溫25℃、9mA工作電流下,調(diào)制帶寬直接達(dá)到26GHz,為鏈路帶寬升級(jí)提供核心動(dòng)力;

  ?高可靠性:通過(guò)嚴(yán)格的可靠性驗(yàn)證,長(zhǎng)期高負(fù)荷運(yùn)行可靠。

100G PAM4 VCSEL器件典型LIV曲線

100G PAM4 VCSEL器件小信號(hào)調(diào)制帶寬曲線

  車(chē)載850nm 和980nm 14G NRZ VCSEL

  ?優(yōu)異光電特性:閾值電流約1.0mA,6mA工作電流下輸出1.7mW功率,工作電壓2.1V—低耗高能,應(yīng)對(duì)長(zhǎng)期連續(xù)工作需求。

  ?穩(wěn)定的帶寬:120℃調(diào)制帶寬可達(dá)12GHz,可以滿足車(chē)載要求的高速光通信,保證低延遲、低誤碼傳輸、高溫工作。提供850nm和980nm波長(zhǎng)系列產(chǎn)品,可以同時(shí)滿足國(guó)際IEEE車(chē)載標(biāo)準(zhǔn)以及多模PON的二大架構(gòu)。

850nm 14G NRZ VCSEL器件典型LIV曲線

850nm 14G NRZ VCSEL器件小信號(hào)調(diào)制帶寬曲線

關(guān)于度亙

度亙核芯以高端激光芯片的設(shè)計(jì)與制造為核心競(jìng)爭(zhēng)力,聚焦光電產(chǎn)業(yè)鏈上游,擁有覆蓋化合物半導(dǎo)體激光器芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、器件工藝、芯片封裝、測(cè)試表征、可靠性驗(yàn)證以及功能模塊等全套工程技術(shù)能力和量產(chǎn)制造能力,專(zhuān)注于高性能、高功率、高可靠性光電芯片及器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)和制造,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、智能感知、光通信、醫(yī)療健康和科學(xué)研究等領(lǐng)域,致力打造具有國(guó)際行業(yè)地位的產(chǎn)品研發(fā)中心和生產(chǎn)制造商。

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