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臺積電2022年研發(fā)費用近55億美元 N4P預計今年量產(chǎn)

摘要:臺積電2022年全年的研發(fā)費用達54.7億美元,用以擴大技術領先和差異化優(yōu)勢。其中5納米技術已是量產(chǎn)的第三年,為臺積電營收貢獻26%。

  ICC訊  臺積電于6月6日舉行年度股東會,致股東報告書表示,臺積電2022年全年的研發(fā)費用達54.7億美元,用以擴大技術領先和差異化優(yōu)勢。其中5納米技術已是量產(chǎn)的第三年,為臺積電營收貢獻26%。N4也于2022年開始量產(chǎn),且推出了N4P和N4X制程技術。N4P預計于2023年量產(chǎn)。

  臺積電報告中顯示,N3技術于2022年量產(chǎn),N3E預計于2023年下半年量產(chǎn),預期N3家族將成為臺積電另一個大規(guī)模且有長期需求的制程技術。據(jù)悉,N4X是臺積電第一個專注于高效能計算(HPC)的技術,預計于2023年進行客戶產(chǎn)品設計定案。

  臺積電指出,2納米技術將采用納米片(Nanosheet)電晶體結構,此前架構為鰭式場效晶體管(FinFET)。相較于N3E,N2在相同功耗下速度增快10%-15%,或在相同速度下功耗降低25%-30%,以滿足日益增加的節(jié)能計算需求。

  臺積電表示,公司也在不斷擴展臺積公司3DFabricTM設計解決方案,以提升系統(tǒng)級性能至新境界。臺積電3DFabricTM結合了晶圓級3D和先進封裝技術。在3D技術方面,芯片堆疊(Chip on Wafer,CoW)技術成功于2022年量產(chǎn),通過將靜態(tài)隨機存取芯片(Static Random Access Memory,SRAM) ) 堆疊于邏輯晶圓上展現(xiàn)顯著的性能優(yōu)化。

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